语音芯片制造技术—铜互连

一直以来，语音芯片互连金属化层都是铝制化。 应用按设计方法的占比例缩小，随着特征尺寸变小，集成电路的速度变快，采用180nm技术制作的微处理器的时钟频率已经超过1GHz。在这种情况下，ic芯片上的微细铝布线的电阻成为影响集成电路的速度的主要因素。

在12年的SEMI研讨会上，IBM公司和Infineon（原西门子公司半导体部）发表了CMOS 7S和7SF工艺，受到广泛关注。它采用全集成的ULSICMOS/铜互连技术，铜互连层可以多到6层，这两种工艺的栅长（图形上的）分别为0.20μm和0.18μm，有效沟道长度小于0.15μm和0.11μm(对NFET），金属接触中心距为0.63~0.81μm（对CMOS 7S）和0.44~0.46μm(对CMOS 7SF)，6晶体管的SRAM单元大小仅为6.8μm和4.8μm。

总之，将铜互连技术列入180nm甚至更小规格的语音芯片生产制造工艺上是必然趋势，但要想作为大规模生产的基础制造技术，它仍是处于发展的初期阶段。